ФТТ, 2009, том 51, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффекты d-волнового спаривания в электронных высокотемпературных сверхпроводниках
с анизотропным примесным рассеянием

Т.Б.Чарикова, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, О.Е.Сочинская, А.А.Иванов\kern1pt*

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
Екатеринбург, Россия
* Московский государственный инженерно-физический институт,
Москва, Россия
E-mail: charikova@imp.uran.ru

(Поступила в Редакцию 18 февраля 2009 г.
В окончательной редакции 4 апреля 2009 г.)

Представлены результаты исследования температурных зависимостей сопротивления монокристаллических пленок электронного сверхпроводника Nd2-xCexCuO4+delta с x=0.14 (недолегированная область) и x=0.15 (область оптимального легирования) и разной степенью беспорядка delta в различных магнитных полях (B|| c, J|| ab) в интервале температур 0.4-300 K. Показано, что существуют различия в поведении зависимости наклона верхнего критического поля (dBc2/dT)|T-> Tc от параметра беспорядка в недолегированных образцах (x=0.14) и в образцах с оптимальным легированием (x=0.15). Изучение характера зависимости наклона верхнего критического поля от степени беспорядка позволило экспериментально различить сверхпроводники с d-спариванием и с анизотропным s-спариванием. Удалось установить возможную причину относительной устойчивости электронного сверхпроводника с оптимальным легированием к разупорядочению, которая состоит в сильной анизотропии примесного рассеяния с симметрией d-типа.

Работа выполнена по плану РАН (тема N 01.2.006 13394, шифр \glqq Импульс\grqq) и при частичной поддержке РФФИ (гранты N 07-02-00396 и 08-02-00759).

PACS: 74.72.-h, 74.25.Fy, 74.25.Op

 PDF версия (623Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster