ФТТ, 2009, том 51, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Зондирование многослойной структуры Si/SiGe потоком неравновесных акустических фононов

А.И.Шарков, Т.И.Галкина, А.Ю.Клоков

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
Москва, Россия
E-mail: shark@lebedev.ru

(Поступила в Редакцию 28 января 2009 г.)

Двойные квантовые ямы Si/Si0.8Ge0.2/Si, выращенные на подложке кремния, зондировались потоком неравновесных акустических фононов терагерцевых частот при использовании метода тепловых импульсов в геометрии \glqq на отражение\grqq. Сопоставление зарегистрированных сигналов прихода фононов с аналогичными измерениями для образца кремния без структуры квантовых ям позволяет выделить составляющую, обусловленную именно отражением фононов от квантовых ям. Обнаружена сильная анизотропия этого отраженного сигнала.

Работа поддерживалась Российским фонодом фундаментальных исследований (проект N 08-02-01012), а также программой Президиума РАН \glqq Квантовые наноструктуры\grqq.

PACS: 66.70.-f, 63.20.-e

 PDF версия (201Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster