ФТТ, 2009, том 51, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Дискретное туннелирование в электронных транспортных свойствах наногранулированного пористого кремния
и подобных гетерофазных систем

Е.С.Демидов, Н.Е.Демидова, В.В.Карзанов, К.А.Марков, В.В.Сдобняков

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
Нижний Новгород, Россия
E-mail: demidov@phys.unn.ru

(Поступила в Редакцию 23 декабря 2008 г.)

На основе теории дискретного туннелирования анализируются экспериментальные данные по исследованию поперечного транспорта тока в ряде наноразмерных гранулированных или подобных им сред: слоях ПК, анодных слоях оксида и слоях нитрида кремния, полученных ионной имплантацией азота в кремний. Показано, как измерение вольт-амперной характеристики диодной структуры с прослойкой диэлектрика с вкрапленными гранулами позволяет получить полезную информацию о характере и размерах гранул или квантовых точек в наноразмерной гранулированной среде. Аморфные диэлектрики могут рассматриваться как гранулированная среда с наноразмерными флуктуациями состава. Вольт-амперные характеристики реальных структур определяются как токовой нелинейностью, связанной с инжекцией носителей тока, так и полевой нелинейностью, обусловленной кулоновской блокадой туннелирования.

Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 08-02-97044ра, 08-02-01222а, программы Рособразования (проекты РНП 2.1.1/933, 2.1.1/2833).

PACS: 72.10.-d, 42.20.-i, 72.80.Tm, 77.55.+f

 PDF версия (243Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster