ФТТ, 2009, том 51, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронный спиновый резонанс в ориентированных нанопроволоках Ge0.99Cr0.01

Р.Б.Моргунов, Ф.Б.Мушенок, А.И.Дмитриев, O.L.Kazakova\kern1pt*, Y.Tanimoto\kern1pt**

Институт проблем химической физики Российской академии наук,
Черноголовка, Московская обл., Россия
* National Physical Laboratory,
Teddington, U.K.
** Osaka City University, Graduated School of Science,
Osaka, Japan
E-mail: morgunov20072007@yandex.ru

(Поступила в Редакцию 17 ноября 2008 г.)

Исследован электронный спиновый резонанс в нанопроволоках Ge0.99Cr0.01, выращенных в нанопорах анодированного оксида алюминия. В интервале температур 4-300 K в спектрах электронного спинового резонанса нанопроволок наблюдается асимметричная изотропная резонансная линия, отвечающая парамагнитному резонансу носителей заряда. При температурах ниже 50-70 K в спектрах спинового резонанса нанопроволок Ge0.99Cr0.01 появляется множество дополнительных резонансных линий, отвечающих антиферромагнитному резонансу в кластерах GeCr. Обнаружено закономерное уменьшение эффективного g-фактора асимметричной линии Дайсона, соответствующей носителям заряда в германии, с увеличением спин-орбитального взаимодействия в ряду ионов переходных металлов Mn2+, Cr2+, Fe3+, Co2+, которыми были легированы нанопроволоки германия.

PACS: 75.75.+a, 76.50.+g

 PDF версия (570Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster