ФТТ, 2009, том 51, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эндотермический эффект при нагревании полупроводникового сульфида самария

В.М.Егоров, В.В.Каминский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 18 ноября 2008 г.)

Обнаружен эффект теплопоглощения в температурной области возникновения термовольтаического эффекта в монокристалле сульфида самария (SmS). Показано, что ответственным за его появление является коллективный заброс электронов с донорных уровней в зону проводимости.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 07-08-00289) и ООО \glqq Эс эм Эс-тензо\grqq (Санкт-Петербург).

PACS: 65.40.Ba, 72.80.Ga

 PDF версия (89Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster