ФТТ, 2009, том 51, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Нормальный и аномальный гистерезис проводимости в канале прозрачного сегнетоэлектрического транзистора

И.Е.Титков, И.П.Пронин, Е.Ю.Каптелов, Л.А.Делимова, И.А.Линийчук, И.В.Грехов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: ITitkov@mail.ioffe.ru

Созданы и исследованы структуры прозрачного сегнетоэлектрического полевого транзистора PZT/SnO2/Al2O3 с \glqq нормальным\grqq и \glqq аномальным\grqq гистерезисом проводимости канала. Впервые получена \glqq нормальная\grqq петля модуляции в данной структуре. В качестве канала полевого транзистора использовались легированные сурьмой эпитаксиальные пленки SnO2/Al2O3, напыленные YAG-лазером из металлической мишени. Сегнетоэлектрические пленки PZT осаждались магнетронным распылением. Распределение глубоких уровней на границе PZT/SnO2 измерялось модифицированным методом релаксационных токов. Установлено, что соотношение поляризационного заряда и заряда ловушек на границе PZT/SnO2 критически влияет на направление гистерезиса проводимости канала.

Работа выполнена при поддержке грантов ОФН, Президиума РАН и РФФИ (N 06-08-01370a).

PACS: 77.80.Dj, 73.50.Td, 85.30.Tv

 PDF версия (116Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster