ФТТ, 2009, том 51, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диэлектрические потери как индикатор кинетики сегнетоэлектрического фазового перехода

В.К.Новик, А.М.Лотонов, Н.Д.Гаврилова

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
Москва, Россия
E-mail: novikmp@orc.ru

Приводятся результаты исследования зависимости tgdelta(f,T) монокристаллов триглицинсульфата (ТГС) и диглициннитрата (ДГН) в интервале частот f=1-2· 107 Hz и температур от -150 до 50oC (ТГС) и от -150 до -60oC (ДГН). В основу обсуждения результатов положена модель формирования в сегнетофазе двух или более типов сред, различных по диэлектрическим свойствам. Как отдельные среды рассматриваются собственно полярные объемы доменов и объемы доменных стенок различной симметрии. Зависимости tgdelta(f,T) позволяют выделять вклад отдельной среды и прослеживать его температурную эволюцию. По результатам анализа релаксационных свойств подтверждено формирование при фазовом переходе в ТГС двух сред (полярная среда и доменная стенка), в ДГН --- трех (полярная среда и два типа доменных стенок). Показано, что релаксационные свойства не являются стационарной характеристикой образцов, а зависят от их предыстории.

PACS: 77.80.Bh, 77.80.De, 77.22.Ch, 77.22.Ej

 PDF версия (435Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster