| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Усиление поля и сегнетоэлектрическое переключение в двухслойной гетероструктуре линейный диэлектриксегнетоэлектрик
В.В.Лазарев, С.П.Палто, Л.М.Блинов, С.Г.Юдин
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
Москва, Россия
E-mail: lbf@ns.crys.ras.ru
|
Получены и исследованы тонкопленочные гетероструктуры ЛенгмюраБлоджетт, состоящие из молекулярных слоев сегнетоэлектрического сополимера поливинилиденфторид-трифторэтилена и диэлектрика (азокрасителя). Представлена физическая модель усиления локального электрического поля в областях расположения молекул красителя и сегнетоэлектрика. Экспериментальные исследования сегнетоэлектрического переключения подтверждают, что в гетероструктурах уменьшается внешнее эффективное коэрцитивное напряжение и увеличивается переключаемая поляризация. Работа выполнена в рамках программы ОФН РАН \glqq Новые материалы и структуры\grqq. PACS: 77.80.Fm, 77.55.tf |
| PDF версия (136Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |