ФТТ, 2009, том 51, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом
высокочастотного распыления

М.С.Иванов, М.С.Афанасьев

Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет),
Москва, Россия
E-mail: IvanovMaksim@list.ru

Методом высокочастотного катодного распыления керамической мишени стехиометрического состава на установке магнетронного распыления получены эпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов BaxSr1-xTiO3 на монокристаллических подложках MgO (001) и NdGaO3 (011). Определены основные качественные различия оптических, структурных и электрических свойств полученных сегнетоэлектрических пленок, выявлена их существенная зависимость от выбора подложки.

PACS: 73.61.-r, 78.20.-e

 PDF версия (170Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster