ФТТ, 2009, том 51, выпуск 6: page 1149...

ФТТ, 2009, том 51, выпуск 6

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Тонкопленочный конденсатор $M$ /Pb(ZrTi)O₃/M как поляризационно-чувствительный фотоэлемент¹

Л.А.Делимова, В.С.Юферев, И.В.Грехов, А.А.Петров^\kern1pt*, К.А.Федоров^\kern1pt*, В.П.Афанасьев^\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
^* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: ladel@mail.ioffe.ru

Исследован стационарный фототок в режиме короткого замыкания при облучении предварительно поляризованных субмикронных конденсаторов с поликристаллической пленкой Pb(ZrTi)O

₃ (PZT) светом с длиной волны

lambda>0.4 mum. Обнаружено, что структуры с разными интерфейсами

M

/PZT, различающиеся по величине токов утечки более чем на порядок, демонстрируют практически одинаковое значение фототока, который всегда направлен против сегнетоэлектрической поляризации пленки PZT. Хотя величина фототока определяется степенью поляризованности пленки, наблюдаемый фототок не является током деполяризации сегнетоэлектрика. Таким образом,

M

/PZT/

M

конденсатор ведет себя как поляризационно-чувствительный фотоэлемент. В рамках предложенной теории гетерофазной среды рассчитана зависимость фототока от величины предварительной поляризации, которая разумно согласуется с экспериментальными результатами.

Работа поддержана грантом РФФИ N 06-08-01370-a и программой РАН \glqq Физика конденсированных сред\grqq, проект \glqq Сильно коррелированные электроны в полупроводниках, металлах, сверхпроводниках и магнитных материалах\grqq.

PACS: 73.50.Pz, 77.22.Ej, 77.84.Dy

PDF версия (236Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster