ФТТ, 2009, том 51, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сульфидная пассивация подложек InAs(100) в растворах Na2S

Т.В.Львова, И.В.Седова, М.С.Дунаевский, А.Н.Карпенко,
В.П.Улин, С.В.Иванов, В.Л.Берковиц

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: tatiana.lvova@pop.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 29 июля 2008 г.
В окончательной редакции 19 ноября 2008 г.)

Установлено, что в результате обработки водным 1M-раствором сульфида натрия (Na2S) с поверхности InAs(100) удаляется слой естественного окисла, вместо которого формируется сплошной хемосорбционный пассивирующий слой из атомов серы, когерентно связанных с атомами индия поверхности кристалла. Травления поверхности InAs в сульфидном растворе не происходит. Пассивированные образцы InAs демонстрируют многократное увеличение интенсивности фотолюминесценции. Сульфидный слой десорбируется с поверхности InAs при температурах ~400oC, в результате чего открывается чистая In-стабилизированная поверхность (100) с реконструкцией (4x2). С использованием сульфидной пассивации разработан простой способ подготовки атомно-гладких ростовых поверхностей (2x4) подложек InAs(100), пригодных для молекулярно-пучковой эпитаксии высокосовершенных слоев соединений на основе CdSe.

Работа выполнена при частичной поддержке гранта N 2.10-б Программы Президиума РАН П-03 и Лазерной программы ОФН РАН.

PACS: 68.37.Ps, 68.47.Fg, 81.15.Gh

 PDF версия (1.4Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster