ФТТ, 2009, том 51, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Возможный механизм возникновения участка с отрицательным магнитосопротивлением гранулярного ВТСП

К.А.Шайхутдинов, Д.А.Балаев, С.И.Попков, М.И.Петров

Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,
Красноярск, Россия
E-mail: dir@iph.krasn.ru

(Поступила в Редакцию 16 июля 2008 г.
В окончательной редакции 10 ноября 2008 г.)

С целью выяснения механизма возникновения участка с отрицательным магнитосопротивлением гранулярного ВТСП исследованы полевые зависимости магнитосопротивления при 77.4 K образцов Bi1.8Pb0.3Sr1.9Ca2Cu3Ox различной плотности, имеющих микроструктуру \glqq пены\grqq и обладающих различными значениями диамагнитного отклика. Обнаружено, что участок с отрицательным магнитосопротивлением наблюдается в образцах с наибольшими по модулю значениями намагниченности. Такое поведение адекватно объясняется влиянием дипольных моментов ВТСП кристаллитов на эффективное поле в межгранульной среде. Оценена величина этого эффективного поля.

Работа выполнена в рамках программы РАН N 3.4 \glqq Квантовая макрофизика\grqq и комплексного интеграционного проекта СО РАН N 3.4. Один из авторов (Д.А.Б.) благодарит фонд содействия отечественной науке.

PACS: 74.81.Fa, 74.50.+r

 PDF версия (376Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster