ФТТ, 2009, том 51, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности морфологии и структура нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, выращиваемых на поверхности Si

Л.К.Орлов, Ю.Н.Дроздов, В.И.Вдовин\kern1pt*, Ю.И.Тарасова\kern1pt**, Т.Н.Смыслова\kern1pt**

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
Нижний Новгород, Россия
* Институт химических проблем микроэлектроники,
Москва, Россия
** Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева,
Нижний Новгород, Россия
E-mail: orlov@ipm.sci-nnov.ru

(Поступила в Редакцию 8 июля 2008 г.)

С помощью разнообразных методов анализа (электронная, зондовая и интерференционная оптическая микроскопия, электронография, рентгеновская дифракция) исследуются состав, морфология поверхности и кристаллическая структура нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, выращиваемых на кремнии методом химической конверсии из паров гексана. Проведено сопоставление характеристик пленок 3C-SiC, получаемых на подложках Si(100) и Si(111). Для гетероструктур 3C-SiC/Si(111) различными методами проанализированы особенности формы, размеров и кристаллографической структуры островков, формируемых на поверхности роста. Показано, что формируемые на поверхности фигуры роста образуют нанокристаллическую плотноупакованную текстуру с размерами зерен менее 50 nm. Электронограммы фигур роста на поверхности пленок демонстрируют наличие дополнительного сверхпериода, связанного с винтовыми осями в пространственной группе элементов симметрии кристалла.

Работа выполнена в рамках проектов РФФИ (гранты N 08-02-97017 и 08-02-00065).

PACS: 68.47.Fg, 68.55.Jk, 61.30.Hn

 PDF версия (2.9Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster