ФТТ, 2009, том 51, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спиновая динамика носителей в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при наличии латерально локализующего электрического потенциала

Р.В.Чербунин, М.С.Кузнецова, И.Я.Герловин, И.В.Игнатьев, Ю.К.Долгих, Ю.П.Ефимов,
С.А.Елисеев, В.В.Петров, С.В.Полтавцев, А.В.Ларионов *, А.И.Ильин **

Санкт-Петербургский государственный университет,
Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
* Институт физики твердого тела Российской академии наук,
Черноголовка, Московская обл., Россия
** Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук,
Черноголовка, Московская обл., Россия
E-mail: ivan\_ignatiev@mail.ru

(Поступила в Редакцию 4 сентября 2008 г.)

Методом фотоиндуцированного магнитооптического эффекта Керра изучена динамика спиновой ориентации в квантовой яме GaAs, находящейся в латерально неоднородном электрическом потенциале, создаваемом мозаичным электродом, нанесенным на поверхность образца. Установлено, что приложение к электроду отрицательного потенциала, большего 1 V, сопровождается более чем стократным увеличением времени жизни спиновой поляризации в исследуемом образце. Сделан вывод, что причиной столь резкого замедления релаксации является совместное действие двух эффектов: пространственного разнесения электрона и дырки, приводящего к уменьшению скорости излучательной рекомбинации электрон-дырочной пары, и локализации электрона, сопровождающейся подавлением процессов спиновой релаксации, связанных с его движением.

Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 07-02-00979a).

PACS: 73.21.Fg, 78.67.De

 PDF версия (164Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster