ФТТ, 2009, том 51, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование наноуглеродных пленок на поверхности SiC
методом сублимации в вакууме

А.А.Лебедев, И.С.Котоусова, А.А.Лаврентьев, С.П.Лебедев,
И.В.Макаренко, В.Н.Петров, А.Н.Титков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Shura.lebe@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 22 июля 2008 г.)

Показано возможность формирования наноуглеродных пленок на поверхности SiC с использованием технологии и оборудования для сублимационной эпитаксии карбида кремния. Определен температурный диапазон, в котором формируются наноуглеродные пленки толщиной 4-5 постоянных решетки. Обнаружено наличие в пленках двумерных кристаллов графита.

Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ N 07-02-00636a и проекта 3-38 программы \glqq Квантовые наноструктуры\grqq Президиума РАН.

PACS: 68.65.k, 68.47.Fg

 PDF версия (864Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster