ФТТ, 2009, том 51, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние дефектов тонкого слоя оксида кремния на процессы силицидообразования в системе Fe/SiO2/Si(001)

В.В.Балашев\kern1pt*,**, В.В.Коробцов\kern1pt*,**, Т.А.Писаренко\kern1pt*,**, Е.А.Чусовитин\kern1pt*

* Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук,
Владивосток, Россия
** Институт физики и информационных технологий Дальневосточного государственного университета,
Владивосток, Россия
E-mail: balashev@mail.dvo.ru

(Поступила в Редакцию 16 апреля 2008 г.)

Рассмотрена кинетика структуры и фазового состава системы Fe/SiO2/Si(001) при различных условиях осаждения слоя Fe и последующего отжига. Установлено, что тонкий слой (~1 nm) SiO2 не разрушается в процессе осаждения Fe в широком диапазоне температур от 20 до 650oC, в результате чего пленки Fe различной морфологии формируются на поверхности оксида. При отжиге происходит разрушение слоя SiO2 в дефектных местах, что приводит к взаимодействию атомов Fe с подложкой Si с последующим образованием силицидов железа.

Работа выполнена при поддержке гранта Дальневосточного отделения Российской академии наук (N 06-III-В-02-046) и проекта Научная школа (НШ-993.2008.2).

PACS: 61.05.jh, 64.70.kg, 68.35.Fx, 68.37.Ps, 68.55.-a

 PDF версия (1.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster