ФТТ, 2009, том 51, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Нетрадиционные эффекты термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlInS2

M.-H.Yu.Seyidov *,***, R.A.Suleymanov *,***, F.Salehli **, С.С.Бабаев ***,
Т.Г.Мамедов ***, А.И.Наджафов ***, Г.М.Шарифов ***

* Department of Physics, Gebze Institute of Technology,
Gebze, Kocaeli, Turkey
** Istanbul Technical University,
Maslak, Istanbul, Turkey
*** Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
Баку, Азербайджан
E-mail: smirhasan@gyte.edu.tr

(Поступила в Редакцию 28 января 2008 г.
В окончательной редакции 23 июня 2008 г.)

Проанализированы экспериментальные данные, касающиеся эффектов термической памяти несоизмеримой фазы как в нелегированных слоистых кристаллах TlInS2, выбранных из разных технологических партий, так и в TlInS2 : La. Обнаружены различные типы нетрадиционного проявления эффекта термической памяти. Показано, что обнаруженные эффекты связаны с памятью кристалла, в основе которой лежит механизм закрепления солитонной сверхструктуры волной плотности дефектов в присутствии внутреннего поля термоэлектрета.

PACS: 61.72.S-, 61.44.Fw, 64.70.Rh, 66.30.Lw, 77.80.Bh

 PDF версия (519Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster