ФТТ, 2009, том 51, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена, разонансное расcеяние и сверхпроводимость в SnTe : In

С.А.Немов, В.И.Прошин, Г.Л.Тарантасов, Р.В.Парфеньев\kern1pt*, Д.В.Шамшур\kern1pt*, А.В.Черняев\kern1pt*

Санкт-Петебургский государственный политехнический университет,
Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: nemov\_s@mail.ru

(Поступила в Редакцию 8 апреля 2008 г.
В окончательной редакции 28 июля 2008 г.)

В образцах SnTe : In с различным содержанием индия (1-16 at.%) исследованы температурные зависимости коэффициента поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в диапазоне 100-300 K и удельное сопротивление при температурах 1.2-4.2 K в магнитных полях до 10 kOe. Полученные данные свидетельствуют о наличии резонансного рассеяния дырок в полосу квазилокальных примесных состояний In в образцах Sn1-xInxTe с содержанием In x>= 0.05 и перехода в сверхпроводящее состояние с критической температурой Tc~1.5-2.2 K. В образцах SnTe : In со степенью заполнения примесных состояний электронами, близкой к 1/2, и уровнем Ферми varepsilonF, находящимся вблизи минимума энергетической зависимости времени релаксации tau(varepsilon), наблюдается новый тип неоднородностей --- неоднородности параметра рассеяния r=dlntau/dlnvarepsilon\vertvarepsilonF вследствие флуктуаций степени заполнения электронами квазилокальных состояний.

PACS: 72.20.Pa, 74.25.Fy

 PDF версия (175Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster