ФТТ, 2009, том 51, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Расщепление уровней в полумагнитных полупроводниках
в условиях спин-магнетофононного резонанса

В.Л.Гуревич, М.И.Мурадов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: mag.muradov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 24 апреля 2008 г.
В окончательной редакции 19 июня 2008 г.)

Теоретически рассмотрено расщепление уровня энергии электрона в квантовых ямах на основе полумагнитных полупроводников, которые обычно характеризуются большими эффективными g-факторами. В них оказывается возможным резонанс при условии, что зеемановское расщепление спиновых уровней равно энергии продольного оптического фонона homega||. Условие резонанса имеет вид homega||=gmuBB. Этому условию можно удовлетворить, подбирая магнитное поле B так, чтобы энергия низшего спинового уровня плюс оптический фонон совпадала с энергией высшего уровня. Показано, что должно иметь место взаимное \glqq отталкивание\grqq этих двух вырожденных уровней энергии. Величина соответствующего расщепления зависит как от электрон-фононного, так и от спин-орбитального взаимодействия в полупроводниках: она оказывается гораздо меньше зеемановской энергии gmuBB.

Рассмотрено резонансное прохождение света и его отражение квантовой ямой как один из возможных способов наблюдения такого расщепления энергетических уровней.

PACS: 78.20.Ls, 71.70.-d

 PDF версия (147Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster