ФТТ, 2009, том 51, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Радиационно-индуцированное формирование наночастиц ZnO
на поверхности монокристаллов ZnSe

Д.Б.Эльмуротова, Э.М.Ибрагимова, М.У.Каланов, Н.А.Турсунов

Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,
Ташкент, Узбекистан
E-mail: ibragimova@inp.uz

(Поступила в Редакцию 25 декабря 2007 г.)

Приводятся результаты исследований возможности образования нанокристаллов ZnO в результате радиолиза поверхности кристаллов ZnSe, обработанных в парах цинка, при гамма-облучении и создании гетероструктур ZnSe-ZnO. При 60Co гамма-облучении на воздухе из нанозародышей ZnO сформировались нанокристаллы размером ~ 27 nm. Напротив, облучение смешанным потоком гамма-лучей и тепловых нейтронов привело к образованию двойниковой структуры в матричной решетке ZnSe и удалению ZnO. Оксидный слой также разрушается при протонном облучении в вакууме. Обнаружено, что рост нанокристаллитов ZnO обусловливает многократное повышение интенсивности электролюминесценции в полосе ~600 nm, микротвердости, а также снижение сопротивления, запирающего и порогового напряжения независимо от полярности. Таким образом, гамма-облучение приводит к формированию полупроводниковых светоизлучающих структур ZnSe-ZnO : Zn с p-n-переходом.

Работа выполнена по контракту N 2-06 Фонда поддержки фундаментальных исследований Академии наук Узбекистана.

PACS: 61.05.cp, 73.40.Lq, 78.55.Et, 78.60.Fi, 78.67.Bf

 PDF версия (935Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster