ФТТ, 2009, том 51, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Аккумуляционный нанослой --- 2D-электронный канал ультратонких интерфейсов Cs/n-InGaN

Г.В.Бенеманская, В.Н.Жмерик, М.Н.Лапушкин, С.Н.Тимошнев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 8 апреля 2008 г.)

Обнаружено формирование 2D-электронного канала --- зарядового аккумуляционного слоя на поверхности InGaN(0001) n-типа при адсорбции субмонослойных покрытий Cs. Найдено, что фотоэмиссия из аккумуляционного слоя возбуждается светом из области прозрачности InGaN. Установлено, что глубиной потенциальной ямы и плотностью электронных состояний аккумуляционного слоя можно целенаправленно управлять за счет изменений Cs-покрытий. Показано, что в аккумуляционном слое наблюдаются эффекты размерного квантования. Проведены расчеты матричного элемента фотоэмиссии, получены энергетические параметры аккумуляционного слоя. В спектрах фотоэмиссии из аккумуляционного слоя обнаружена осцилляционная структура, природа которой связана с интерференцией Фабри--Перо.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 07-02-00510 а), программы Президиума РАН П-03 (грант N 2.10 а) и Фонда содействия отечественной науке.

PACS: 73.20.-r, 73.21.Fg, 79.60.Dp

 PDF версия (185Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster