ФТТ, 2009, том 51, выпуск 2
ФТТ, 2009, том 51, выпуск 2
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние легирования Eu на сенсибилизацию излучения в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и InGaN/GaN
В.В.Криволапчук, М.М.Мездрогина, Р.В.Кузьмин, Э.Ю.Даниловский
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vlad.krivol@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию в окончательном виде 24 июня 2008 г.)
|
Определена корреляция между спектрами фотолюминесценции и структурными параметрами наноструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN и GaAs/AlGaAs, легированных Eu. Показано, что внедрение редкоземельных ионов (РЗИ) приводит к появлению деформаций решетки (как правило, сжатия). В достаточно совершенных структурах в процессе миграции возбуждения происходит перенос неравновесных носителей на атомные уровни иона Eu. В менее соверешнных структурах внедрение РЗИ приводит к образованию изовалентных ловушек в слоях GaN, которые эффективно захватывают неравновесные носители, в результате чего интенсивность фотолюминесценции структуры возрастает на порядок. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ N 02-07-00854 и программы Президиума РАН \glqq Низкокоррелированные системы\grqq. PACS: 78.67.De, 78.55.Cr, 61.72.Vv |
| PDF версия (263Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |