| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Отклик электросопротивления
пленок (20 nm)LaBaMnO/(001)LaAlO
на магнитное поле и изменение температуры
Ю.А.Бойков, В.А.Данилов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: yu.boikov@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию 21 апреля 2008 г.)
| Исследованы структура, электро- и магнитотранспортные параметры эпитаксиальных пленок LaBaMnO толщиной 20 nm, выращенных методом лазерного испарения на подложках (001)LaAlO. Объем элементарной ячейки Angstrem выращенных манганитных пленок был меньше соответствующего объема для массивных кристаллов LaBaMnO. Максимальные значения отрицательного магнетосопротивления MR пленок LaBaMnO наблюдались при температуре порядка 225 K. При |
| PDF версия (272Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |