ФТТ, 2008, том 50, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства контактов Мотта с ультрамалым барьером металл--полупроводник

В.И.Шашкин, А.В.Мурель

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603000 Нижний Новгород, Россия
E-mail: sha@ipm.sci-nnov.ru

(Поступила в Редакцию 11 февраля 2008 г.)

Исследованы вольт-амперные и емкостные характеристики контактов Мотта с ультрамалым барьером металл--полупроводник. Анализ основан на аналитическом решении уравнения Пуассона для пространственного заряда носителей тока в структуре металл--i-слой--n+-подложка при пренебрежении объемным легированием i-слоя. Для контактов с ультрамалыми барьерами (сравнимыми с тепловой энергией носителей) показано, что ток обратной ветви становится больше прямого, меняется знак детектирования, а емкость контакта приобретает сильную зависимость от напряжения. Это означает, что происходит смена механизма нелинейности структуры и определяющей становится нелинейность, обусловленная носителями тока, инжектированными в i-слой. В определенном диапазоне смещений вблизи нуля дифференциальное сопротивление и емкость структуры экспоненциально возрастают с напряжением, что является нетипичным для обычных контактов металл--полупроводник. Полученные зависимости тока и емкости от напряжения определяют характеристики новых перспективных приборов, в частности чувствительных микроволновых детекторов, работающих без смещения.

PACS: 73.30.+y, 73.63.-b, 73.40.Ei, 73.40.Sx

 PDF версия (211Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster