ФТТ, 2008, том 50, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О сегнетоэлектрическом фазовом переходе в политипах кристаллов beta-TlInS2

Н.А.Боровой, Ю.П.Гололобов\kern1pt*, А.Н.Горб, Г.Л.Исаенко\kern1pt*

Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко,
03022 Киев, Украина
* Национальный транспортный университет,
01010 Киев, Украина
E-mail: gololo@ukr.net

(Поступила в Редакцию 19 декабря 2007 г.)

В интервале температур T=160-250 K проведены измерения диэлектрической проницаемости и рентгенографические исследования политипов c и 2c кристаллов beta-TlInS2. Обнаружены существенные отличия в температурном положении, последовательности и характере структурных фазовых переходов, связаных с образованием в этих политипах несоразмерно модулированных структур и возникновением сегнетоэлектрического состояния.

PACS: 07.85.Jy, 77.80.Bh

 PDF версия (220Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster