ФТТ, 2008, том 50, выпуск 10: page 1783...

ФТТ, 2008, том 50, выпуск 10

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Образование краевых дислокаций несоответствия в пленках $Ge$ _xSi_1-x ( $x~ 0.4-0.5$ ), выращенных
на отклоненных подложках $Si(001)->(111)$

Ю.Б.Болховитянов, А.К.Гутаковский, А.С.Дерябин, Л.В.Соколов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: bolkhov@isp.nsc.ru

(Поступила в Редакцию 6 февраля 2008 г.)

Изучена дислокационная структура пленок

Ge

_xSi_1-x (

x~0.4-0.5

), выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si(001), отклоненных на

6

^o вокруг оси

< 011>

. Показано, что в направлении отклонения краевые дислокации несоответствия (ДН) возникают только в виде коротких отрезков на пересечениях

60

^o ДН. Как следствие, суммарная длина краевых ДН в направлении отклонения подложки становится меньше, чем в направлении оси отклонения. Отклонение подложки от сингулярной грани позволило обнаружить дислокационную конфигурацию, состоящую из короткого отрезка краевой ДН и расходящихся от него в направлении отклонения двух

60

^o ДН. Предполагается, что образование отрезка начинается с одновременного зарождения комплементарных дислокационных полупетель, образующих на границе раздела короткую краевую ДН и затем распространяющихся в одну сторону в виде двух расходящихся лучей

60

^o ДН.

PACS: 61.72.Lk, 81.05.Cy, 81.15.-z

PDF версия (4.0Mb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster