ФТТ, 2008, том 50, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности температурного тушения люминесценции автолокализованного экситона в щелочно-галоидных
кристаллах при низкотемпературной деформации 1

К.Шункеев, Е.Сармуханов, А.Бармина, Л.Мясникова, Ш.Сагимбаева, С.Шункеев\kern1pt*

Актюбинский государственный педагогический институт,
030000 Актобе, Казахстан
* University of Warwick, Warwick, U.K.
E-mail: shunkeev@rambler.ru,    sacon@mail.ru

Экспериментально оценена энергия активации температурного тушения люминесценции автолокализованных экситонов в щелочно-галоидных кристаллах при низкотемпературной одноосной деформации. Обнаружено, что увеличение значения энергии активации наблюдается в ряду кристаллов KBr->NaCl->KI->NaBr->CsBr->RbI. На основании роста значения энергии активации, характеризующей высоту потенциального барьера, разделяющего излучательный и безызлучательный (с образованием радиационных дефектов) каналы распада автолокализованных экситонов, интерпретирован эффект усиления собственной люминесценции щелочно-галоидных кристаллов при понижении симметрии решетки низкотемпературной одноосной деформацией.

PACS: 71.35.Aa, 71.38.-k, 78.20.Bh, 78.55.Fv

 PDF версия (212Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster