ФТТ, 2008, том 50, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Пространственно-периодическая модуляция населенностей уровней при насыщении для центров со слабым и сильным электрон-фононным взаимодействием

А.А.Григорова *, Е.Ф.Мартынович *,**

* Иркутский филиал Института лазерной физики Сибирского отделения Российской академии наук,
664033 Иркутск, Россия
** Иркутский государственный университет,
664003 Иркутск, Россия
E-mail: filial@ilph.irk.ru

Получены простые выражения, описывающие пространственно-периодическую модуляцию разности диагональных элементов матрицы плотности для отдельных ориентационных групп квантовых систем в анизотропных кристаллах, а также для центров всего кристалла в целом. Найдено, что глубина модуляции населенностей уровней при насыщении для центров с сильной электрон-фононной связью в пределе в 2 раза выше, чем для центров с чисто электронными оптическими переходами. На примере кристаллов со структурой рутила, имеющих оптическую ось четвертого порядка, описан эффект удвоения волнового числа периодических структур, индуцированных на возбужденных центрах.

Работа поддержана Сибирским отделением Российской академии наук (программа N 10.1).

PACS: 78.20.-e, 78.40.-q, 78.90.+t

 PDF версия (257Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster