ФТТ, 2008, том 50, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Низкотемпературная релаксация в кристалле ZnSe : V2+

В.В.Гудков\kern1pt*,**, А.Т.Лончаков\kern1pt***, В.И.Соколов\kern1pt***, И.В.Жевстовских\kern1pt***, В.Т.Суриков\kern1pt****

* Российский государственный профессионально-педагогический университет,
620012 Екатеринбург, Россия
** Уральский государственный технический университет (УПИ),
620002 Екатеринбург, Россия
*** Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620041 Екатеринбург, Россия
**** Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук,
620041 Екатеринбург, Россия
E-mail: gudkov@imp.uran.ru

В кристалле ZnSe, допированном ионами V2+ в малой концентрации (5.6·1018 cm-3), обнаружены низкотемпературные аномалии поглощения быстрой поперечной и продольной ультразвуковых волн. Эти аномалии интерпретированы как проявление эффекта Яна-Теллера. Восстановлена температурная зависимость времени релаксации 3d-электронов примеси.

Работа выполнена по плану РАН (тема N г.р. 01.02.006 133395), при частичной поддержке РФФИ (грант N 04-02-96094-р2004 урал\_а).

PACS: 43.35.+d, 61.72.Vv, 64.70.Kb

 PDF версия (147Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster