ФТТ, 2008, том 50, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Неустойчивость решетки кристалла селенида цинка,
индуцированная 3d-примесями

В.И.Соколов *, С.Ф.Дубинин *, В.В.Гудков **,***, А.Т.Лончаков *

* Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620041 Екатеринбург, Россия
** Российский государственный профессионально-педагогический университет,
620012 Екатеринбург, Россия
*** Уральский государственный технический университет (УПИ),
620002 Екатеринбург, Россия
E-mail: visokolov@imp.uran.ru

Экспериментальные результаты свидетельствуют, что в кристалле ZnSe со структурой цинковой обманки, легированном 3d-примесями, возникают наноразмерные сдвиговые смещения ионов тригонального (ZnSe : Ni, ZnSe : V) и тетрагонального (ZnSe : Cr) типов при температурах 300 и 120 K. При понижении температуры в диапазоне 100-4.2 K происходит размягчение сдвиговых упругих модулей, индуцированное 3d-примесями: C44 (ZnSe : Ni) и (C11-C12)/2 (ZnSe : Cr). В спектре комбинационного рассеяния света ZnSe : Ni при температурах 5 и 20 K появляется новый пик с частотой 90 cm-1.

Работа поддержана грантами РФФИ (N 04-02-96094, 07-02-00910-a).

PACS: 61.12.-q, 43.35.+d, 61.72.Vv, 62.20.Dc, 64.70.Kb

 PDF версия (204Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster