ФТТ, 2008, том 50, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Радиационное дефектообразование в кристаллах
фтористого стронция и кальция, активированных
двухвалентными ионами кадмия или цинка

А.В.Егранов, Е.А.Раджабов, А.И.Непомнящих, В.Ф.Ивашечкин, И.Е.Васильева

Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук,
664033 Иркутск, Россия
E-mail: alegra@igc.irk.ru

Показано, что в кристаллах фотористого стронция и кальция, активированных двухвалентными ионами кадмия или цинка, ионизирующее излучение восстанавливает примесные ионы до одновалентного состояния. При этом одновалентный ион окружен восемью эквивалентными ионами фтора и имеет кубическую симметрию Oh. Обнаружено, что при комнатной температуре происходит последовательное понижение симметрии центра сначала до C3v и далее до C2v за счет присоединения к ближайшему окружению примесного одновалентного иона одной или двух анионных вакансий соответственно, т. е. собственных дефектов, которые в неактивированных кристаллах фтористого стронция и кальция не образуются. Предполагается, что образование стабильных собственных дефектов происходит путем разделения пар анионная вакансия-междоузельный фон фтора в электрических полях, создаваемых восстановленными ионами примеси. Электрическое поле, создаваемое таким примесным дефектом, понижает энергетический барьер для термического разделения заряженных собственных дефектов.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 07-02-01057a).

PACS: 78.40.Ha, 78.55.Hx

 PDF версия (282Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster