| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Структурные параметры синтетических опалов:
статистический анализ данных электронной микроскопии
К.Б.Самусев, Г.Н.Юшин, М.В.Рыбин, М.Ф.Лимонов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Georgia Institute of Technology, School of Materials Science and Engineering,
GA 30332-0245 Atlanta, USA
E-mail: M.Rybin@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию 22 ноября 2007 г.)
|
Выполнено детальное исследование статистических характеристик ансамбля частиц -SiO в синтетических опалах. Приводятся результаты обработки изображений, полученных с помощью электронной микроскопии при изучении ростового слоя (111). Для вычисления статистических параметров разработан алгоритм, позволяющий определять диаметры частиц -SiO и координаты их центров. Основу алгоритма составляет процедура распознавания объектов, границы которых обладают радиальной симметрией, с помощью преобразования исходного изображения, аналогичного преобразованию Хо (Hough). В результате проведенной обработки изображений определены структурные параметры ростового слоя (111): средний диаметр частиц nm, полуширина контура распределения %, среднее расстояние между центрами соседних частиц nm. Результаты обработки изображений опалов сравниваются с данными оптических экспериментов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 08-02-00642). PACS: 42.70.Qs, 42.25.Fx, 42.79.Fm |
| PDF версия (765Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster |