ФТТ, 2008, том 50, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм релаксации остаточного электросопротивления гранулярных ВТСП после воздействия магнитного поля
на примере композитов Y-Ba-Cu-O + CuO

Д.А.Балаев, А.А.Дубровский, С.И.Попков, К.А.Шайхутдинов, М.И.Петров

Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,
660036 Красноярск, Россия
E-mail: smp@iph.krasn.ru

(Поступила в Редакцию 25 июня 2007 г.)

Исследованы гистерезис магнитосопротивления R(H) и временная релаксация остаточного сопротивления Rrem после воздействия магнитного поля в гранулярных композитах на основе ВТСП (Y-Ba-Cu-O) и CuO. Такие композиты представляют собой сеть переходов джозефсоновского типа, в которой несверхпроводящий ингредиент (CuO) формирует джозефсоновские барьеры между ВТСП-гранулами. На основании сопоставления зависимостей Rrem(t) и R(H) экспериментально показано, что релаксация остаточного сопротивления вызвана уменьшением магнитной индукции в межгранульной среде вследствие релаксации намагниченности. Выявлена причина известных из литературы различий величин потенциала пиннинга, определенных с помощью измерений релаксации намагниченности или сопротивления, аппроксимируемых зависимостью андерсоновского типа.

Работа выполнена в рамках программы РАН \glqq Квантовая микрофизика\grqq, Комплексного интеграционного проекта СО РАН N 3.4 лаврентьевского конкурса молодежных проектов СО РАН (проект N 52), также частично поддержана Фондом содействия отечественной науке.

PACS: 74.25.Fy, 74.25.Qt, 74.81.-g

 PDF версия (1.2Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster