ФТТ, 2008, том 50, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование сегнетоэлектрического фазового перехода в кристалле DKDP методом низкочастотного
комбинационного рассеяния света

В.К.Малиновский, А.М.Пугачев, Н.В.Суровцев

Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: lab21@iae.nsk.su

(Поступила в Редакцию 9 октября 2007 г.)

Низкочастотные спектры комбинационного рассеяния света (КРС) сегнетоэлектрического кристалла DKDP изучены в температурном диапазоне 30-393 K. При температурах выше 150 K в спектрах КРС проявляется центральный пик, отражающий релаксационную восприимчивость кристаллической решетки. Из экспериментальных спектров определены ширина и интегральная интенсивность центрального пика. Критическое замедление времени релаксационного отклика, предсказываемое теорией Гинзбурга--Ландау--Девоншира, наблюдается во всем температурном интервале, где регистрируется центральный пик. Однако интегральная интенсивность не следует предсказанию теории, проявляя резкую температурную зависимость в сегнетофазе и более плавную --- в парафазе. Показано, что термоактивационный закон хорошо описывает температурную зависимость интенсивности центрального пика. Предложена интерпретация, в рамках которой интенсивность флуктуаций параметра порядка связана с активационным барьером, высота которого пропорциональна отклонению от температуры фазового перехода.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 06-02-16172) и Фонда междисциплинарных исследований СО РАН.

PACS: 77.80.Bh, 63.70.+h, 77.84.Dy, 78.30.-j

 PDF версия (332Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster