ФТТ, 2008, том 50, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Решеточная ИК-спектроскопия эпитаксиальных слоев Zn1-xCdxSe, выращенных на подложке GaAs методом
молекулярно-лучевой эпитаксии

С.П.Козырев

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
E-mail: skozyrev@sci.lebedev.ru

(Поступила в Редакцию 28 февраля 2007 г.)

Из сопоставления данных решеточного отражения для объемных кристаллов Zn1-xCdxSe составов x=0.08 и 0.22 и для тонких слоев Zn1-xCdxSe на GaAs аналогичных составов представлены результаты более точной интерпретации спектров решеточного ИК-отражения пленок сплава Zn1-xCdxSe (x=0-0.55), выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Для этого интервала составов проявляются две ZnSe- и CdSe-подобные решеточные моды, соответствующие двухмодовому типу перестройки колебательного спектра при изменении x. Также наблюдается слабая (с силой осциллятора, не превышающей 0.25) высокочастотная (по отношению к основным модам) мода 220 cm-1.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ, проект N 07-02-00899-a.

PACS: 78.30.Fs, 78.66.Hf, 63.20.Dj

 PDF версия (302Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster