ФТТ, 2008, том 50, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффект магнитной \glqq памяти\grqq в монокристаллах ZnO

Е.А.Петржик, Е.В.Даринская, Л.Н.Демьянец

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
119333 Москва, Россия
E-mail: petrzhik@ns.crys.ras.ru

(Поступила в Редакцию 16 июля 2007 г.)

Обнаружено упрочнение монокристаллов ZnO после их выдержки в постоянном магнитном поле (B=1-2 T). Максимальное увеличение микротвердости наблюдается через 3-4 h после магнитной обработки. Далее происходит постепенное уменьшение эффекта и возврат микротвердости к исходному значению через 2-3 суток. Обнаружен пороговый характер чувствительности микротвердости к магнитному воздействию: эффект возникает при величине магнитной индукции выше некоторой критической, быстро нарастает в узком интервале Delta B (~0.3 T) и далее выходит на насыщение. Показано, что величина эффекта зависит от ориентации магнитного поля по отношению к полярной оси симметрии кристалла и не зависит от кристаллографической ориентации плоскости измерения. Наибольшее увеличение микротвердости (~20%) найдено на всех исследованных гранях (0001), (11 20) и (10 10) при B||[10 10]. В то же время при направлении B||[0001] не происходит изменения микротвердости. Предложена физическая модель, связанная со спин-зависимыми изменениями в примесной подсистеме кристалла в магнитном поле.

PACS: 62.20.-x, 62.20.Qp, 81.05.Dz, 75.60.Lr

 PDF версия (146Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster