ФТТ, 2008, том 50, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства тонкой пленки сегнетоэлектрика при учете электродов

М.Д.Глинчук, В.Я.Зауличный, В.А.Стефанович\kern1pt*

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины,
03142 Киев, Украина
* Институт математики и информатики, Университет Ополе, 45-052 Ополе, Польша
E-mail: glin@materials.kiev.ua, zaulychny@ukr.net

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 26 июня 2007 г.)

Влияние различных металлических электродов на свойства тонких пленок сегнетоэлектрика рассматривается в рамках феноменологической теории Гинзбурга--Ландау. Вклад электрического поля, создаваемого зарядами в электродах, с учетом эффекта экранирования заряда в металлах включается в функционал свободной энергии и соответственно в уравнение Эйлера--Лагранжа для поляризации пленки. Применение вариационного метода для решения этого уравнения позволило свести функционал свободной энергии к обычной форме свободной энергии с перенормированным коэффициентом перед P2. Этот коэффициент зависит как от свойств и толщины пленки, так и от свойств электрода. Полученный результат открывает путь для вычисления физических характеристик размерного эффекта путем постановки перенормированного коэффициента в обычные формулы феноменологической теории. Сравнение с данными эксперимента для Pt, Ir, IrO2, SrRuO3 показало хорошее согласие теории и эксперимента.

PACS: 77.80.Bh, 77.80.-e, 68.60.-p

 PDF версия (171Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster