ФТТ, 2008, том 50, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Аномалии электрических характеристик Si/Si1-xGex-гетероструктур с транспортным электронным каналом в слоях Si

Л.К.Орлов, Z.J.Horvath\kern1pt*, М.Л.Орлов, А.Т.Лончаков\kern1pt**, Н.Л.Ивина, L.Dobos\kern1pt*

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Hungarian Academy of Sciences,
Budapest, H-1525 Hungary
** Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620041 Екатеринбург, Россия
E-mail: orlov@ipm.sci-nnov.ru

(Поступила в Редакцию 26 апреля 2007 г.)

Исследуются особенности электрофизических характеристик упруго-напряженных Si/Si1-xGex (x<0.2) плоскослоистых гетерокомпозиций со структурой модуляционно-легированного полевого транзистора. Амплитуда узкой (~6 nm) квантовой потенциальной ямы в Si-слое предположительно сопоставляется с амплитудой флуктуационого потенциала, обусловливающего появление наномасштабных неоднородностей в Si-канале. Рассматриваемые структуры характеризуются при изменении плотности электронов в Si-канале фазовым переходом от диэлектрического к металлическому типу проводимости. В магнитотранспортных измерениях структуры с металлическим типом проводимости демонстрируют проявление отрицательного магнитосопротивления (ОМС) как для продольного, так и для поперечного направления магнитного поля относительно протекающего по структуре тока. Анализ магнетополевой зависимости показал доминирующий вклад в ОМС эффекта слабой локализации. Особенности проявлялись и в электрических измерениях диодных характеристик исследуемых структур. В частности, на вольт-фарадных характеристиках структур наблюдались хорошо выраженные резонансные особенности, возможно связанные с существованием в двумерной неоднородной пленке наряду с двумерными носителями заряда также одномерных и квазинульмерных включений.

Настоящая работа выполнялась в рамках программы совместных научных исследований, проводимых между Российской и Венгерской академиями наук (проект N 15) и при частичной поддержке РФФИ (N 01-02-16778). Образцы выращивались при финансовой поддержке ИНТАС (Ref. No: 96-0580).

PACS: 73.40.-с, 73.40.Lq

 PDF версия (457Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster