ФТТ, 2008, том 50, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование границ раздела сплав Гейслера--полупроводник

С.В.Еремеев\kern1pt*, С.С.Кульков\kern1pt**, С.Е.Кулькова\kern1pt*,**

* Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук,
634021 Томск, Россия
** Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия
E-mail: eremeev@ispms.tsc.ru, kulkova@ispms.tsc.ru

(Поступила в Редакцию 3 мая 2007 г.)

Методами теории функционала электронной плотности исследованы электронная структура и магнитные свойства возможных типов контактов на границе раздела (001) между сплавами Гейслера составов XYZ и X2YZ (NiMnSb и Co2MnSi) и полупроводниками III--V групп (InP и GaAs). Показано, что в обоих случаях максимальная спиновая поляризация достигается на контактах Ni/P(As) или Co/As. Исследовано влияние структурных дефектов на поверхности и границах раздела на спиновую поляризацию на уровне Ферми. Проведен анализ природы состояний на границе раздела сплав Гейслера--полупроводник и электронных факторов, способствующих потере или сохранению полуметаллического поведения на рассмотренных контактах. Расчеты локальных магнитных моментов показали, что магнитные свойства контактных атомов не изменяются значительно на границах раздела вследствие частичной компенсации их координации за счет атомов полупроводника. Увеличение степени спиновой поляризации может быть достигнуто за счет легирования на подрешетке X-элемента.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 05-02-16074) в рамках проекта ИФПМ СО РАН 5.2.1.19.

PACS: 71.20.Lp, 75.70.-i

 PDF версия (751Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster