ФТТ, 2008, том 50, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние корреляции в распределении примесных дефектов
на микромеханические свойства монокристаллов GaAs : Te

В.А.Богданова, Н.А.Давлеткильдеев*, М.М.Нукенов, Н.А.Семиколенова

Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского,
644077 Омск, Россия
* Омский филиал Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
644018 Омск, Россия
E-mail: dna@omsu.ru

(Поступила в Редакцию 31 января 2007 г.
В окончательной редакции 26 июня 2007 г.)

Представлены результаты исследования микромеханических свойств монокристаллов GaAs, легированных Te с концентрацией свободных носителей заряда n0=1017-5·1018 cm-3. Получены немонотонные концентрационные зависимости микротвердости, длины лучей дислокационных розеток, плотности дислокаций, положения и полуширины рамановской линии поперечного оптического фонона. Полученные данные интерпретируются как результат пространственной корреляции в распределении примесных дефектов.

PACS: 61.72.-y, 61.72.Vv, 62.20.-x

 PDF версия (262Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster