ФТТ, 2008, том 50, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектры комбинационного рассеяния света в структурах с квантовыми точками на основе полупроводников CdTe, ZnTe, CdSe и их связь с технологией изготовления

В.С.Виноградов, Г.Карчевски\kern1pt*, И.В.Кучеренко, Н.Н.Мельник, П.Фернандес\kern1pt**

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
* Institute of Physics, Polish Academy of Sciences,
02-668 Warsaw, Poland
** Departamento de Fisica de Materiales, Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de Madrid,
28040 Madrid, Spain
E-mail: vvs@sci.lebedev.ru, kucheren@sci.lebedev.ru

(Поступила в Редакцию 29 мая 2007 г.)

Изучены спектры комбинационного рассеяния света в структурах с квантовыми точками на основе полупроводников CdTe, ZnTe, CdSе, полученных методами молекулярно-лучевой эпитаксии, коллоидной химии и микроразмалывания. Во всех спектрах наблюдались локализованные продольные фононы. По зависимости частоты локализованного фонона от толщины барьера ZnTe в сверхрешетках квантовых точек CdTe/ZnTe восстановлена дисперсионная зависимость продольного фонона в ZnTe. Спектры комбинационного рассеяния света ансамблей коллоидных квантовых точек отличаются от остальных отсутствием полос теллура, а также значительной интенсивностью полосы продольного фонона CdTe. Выявлена зависимость спектров от технологии изготовления структур с квантовыми точками.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 07-02-00899-a).

PACS: 78.67.Hc, 78.40.Fy

 PDF версия (313Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster