ФТТ, 2007, том 49, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронная структура кристаллообразующих фулборенов BnNn

В.В.Покропивный *,**, Л.И.Овсянникова *, С.В.Ковригин *,**

* Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича
Национальной академии наук Украины,
03142 Киев, Украина
** Институт физики Тартуского университета,
51014 Тарту, Эстония
E-mail: avilon@ipms.kiev.ua

(Поступила в Редакцию 12 декабря 2006 г.
В окончательной редакции 2 апреля 2007 г.)

Сформулирован общий подход к конструированию кристаллообразующих фуллереноподобных кластеров XnYn, из которых путем кополимеризации гранями могут быть построены и синтезированы цеолитоподобные ковалентные кристаллы с алмазоподобными sp3-связями. Построен ряд наименьших кристаллообразующих кластеров нитрида бора --- фулборенов B12N12, B16N16, B18N18, B24N24, B36N36, B60N60. Методом ограниченного по спину Хартри--Фока (RHF) в базисе 6-31 G рассчитаны их оптимизированная конфигурация, электронная структура, величина переноса заряда, ширина запрещенной щели, полная энергия, энергия когезии и построены карты электронной плотности. Сравнительный расчет фулборена B60N60 методом функционала электронной плотности (DFT) показал, что метод RHF/6-31G является оптимальным с точки зрения точности и эффективности.

Работа выполнена в соответствии с Государственной целевой программой C2-02 и при поддержке Эстонского фонда ESF Meede 1.1.

PACS: 31.15.-p, 36.40.-c, 61.46.+w

 PDF версия (198Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster