ФТТ, 2007, том 49, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоиндуцированный фазовый переход полупроводник--металл в поверхностном слое двуокиси ванадия

А.Л.Семенов

Ульяновский государственный университет,
432970 Ульяновск, Россия
E-mail: smnv@mail.ru

(Поступила в Редакцию 14 марта 2007 г.)

Теоретически исследован фотоиндуцированный фазовый переход полупроводник--металл, протекающий за время Delta t<1 ps в поверхностном слое двуокиси ванадия. Рассмотрен нетепловой механизм развития неустойчивости. Получено уравнение для параметра порядка xi фазового перехода металл--полупроводник в световом поле. Показано, что для перехода в металлическое состояние поверхностного слоя VO2 требуется облучение лазерным импульсом, плотность энергии W которого превышает некоторое критическое значение Wc. Фазовый переход начинается на поверхности, а затем граница фаз движется в глубь образца. Рассчитаны критическое значение Wc, скорость движения границы металлической и полупроводниковой фаз, толщина z0 и характерное время Delta t образования металлического слоя. Полученные теоретические результаты согласуются с экспериментальными данными по облучению монокристалла двуокиси ванадия мощным лазерным импульсом.

PACS: 71.30.+h, 78.47.+p

 PDF версия (83Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster