ФТТ, 2007, том 49, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Радиационное повреждение в алмазах при имплантации гелия

А.В.Хомич, Р.А.Хмельницкий *, В.А.Дравин *, А.А.Гиппиус *,
Е.В.Заведеев **, И.И.Власов **

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязинский филиал,
141190 Фрязино, Московская обл., Россия
* Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
** Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
E-mail: khomich@ms.ire.rssi.ru, roma@mail1.lebedev.ru

(Поступила в Редакцию 20 июня 2006 г.
В окончательной редакции 31 августа 2006 г.)

Методами оптической спектроскопии и измерения объемного \glqq вспухания\grqq исследованы радиационное повреждение и процесс графитизации алмаза, имплантированного ионами гелия при температурах от 77 до 373 K. Установлено, что с ростом температуры имплантации уменьшается радиационное повреждение, что объясняется радиационно-стимулированным отжигом дефектов в процессе повреждения. Показано, что результат формирования графитизированного слоя определяется не дозой имплантации, а уровнем радиационного повреждения. Установлено, что чем ниже температура имплантации, тем при меньших температурах отжига формируется графитизированный слой. Продемонстрировано, что процессы отжига радиационных дефектов и формирования графитизированного слоя в алмазе продолжаются вплоть до температуры 1600oC.

Работа поддержана РФФИ (гранты N 04-02-17060 и 05-02-08292).

PACS: 61.72.Ww, 81.05.Uw

 PDF версия (310Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster