ФТТ, 2007, том 49, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронная структура и эффективные массы электронов
и дырок в alpha- и beta-фазах нитрида кремния

А.В.Шапошников, И.П.Петров, В.А.Гриценко, C.W.Kim *

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* R\&D Center Samsung Electronics Co., Ltd, Process Development/Semiconductor San \#24,
Nongseo-Ri, Kiheung-Eup, Yongin-City, Kyunggi-Do, Korea
E-mail: grits@isp.nsc.ru

(Поступила в Редакцию 13 декабря 2006 г.)

Из первых принципов рассчитана электронная зонная структура двух основных кристаллических модификаций нитрида кремния alpha-Si3N4 и beta-Si3N4. Полученные оценки для эффективных зарядов атомов Si и N и эффективных масс электронов и дырок в alpha-Si3N4 хорошо согласуются с экспериментальными данными для аморфного нитрида. Расчеты предсказывают существенное отличие тензора эффективных масс для beta-Si3N4 по сравнению с alpha-Si3N4.

Работа поддержана проектом РФФИ N 06-02-16621, Интеграционным проектом N 97 Сибирского отделения Российской академии наук и Корейским министерством науки и технологии по программе терабитных приборов.

PACS: 77.22.Jp, 77.55.+f, 77.84.Bw

 PDF версия (280Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster