ФТТ, 2007, том 49, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Колебательные и электронные характеристики икосаэдрических квазикристаллов Zr70Pd30, Zr80Pt20 и их аморфных аналогов

Г.Х.Панова, Н.А.Черноплеков, А.А.Шиков, T.Kem\protecteny *, L.F.Kiss *

Российский научный центр \glqq Курчатовский институт\grqq,
123182 Москва, Россия
* Research Institute for Solid State Physics and Optics,
1525 Budapest, Hungary
E-mail: shikov@isssph.kiae.ru

(Поступила в Редакцию 10 января 2007 г.)

Для установления корреляции между особенностями атомного ближнего порядка и физическими свойствами икосаэдрических квазикристаллов Zr80Pt20 и Zr70Pd30 и их аморфных аналогов исследована теплоемкость в области температур 1.5-500 K. Сравнение полученных данных позволило обнаружить изменения колебательных спектров в области низких и высоких энергий, электронной плотности состояний, сверхпроводящих характеристик, электрон-фононного взаимодействия, ангармонизма тепловых колебаний решетки и вычислить значения основных средних частот (моментов), характеризующих колебательные спектры. Понижение температуры сверхпроводящего перехода Tc в квазикристаллах по сравнению с аморфными аналогами связано с уменьшением плотности электронных состояний на поверхности Ферми, ужесточением фононного спектра и ослаблением электрон-фононного взаимодействия.

Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 04-02-16017-a).

PACS: 61.43.Dq, 61.44.Br, 65.40.Ba

 PDF версия (216Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster