ФТТ, 2007, том 49, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование нанообразований на поверхности слоистого полупроводника InSe в процессе термического окисления

А.П.Бахтинов, З.Д.Ковалюк, О.Н.Сидор, В.Н.Катеринчук, О.С.Литвин *

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины,
Черновицкое отделение
58001 Черновцы, Украина
* Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
E-mail: chimsp@unicom.cv.ua, olytvyn@isp.kiev.ua

(Поступила в Редакцию 22 июня 2006 г.
В окончательной редакции 22 ноября 2006 г.)

Исследованы морфологические изменения поверхности InSe при окислении на воздухе и влияние особенностей гетерограницы оксид--слоистый полупроводник на фотоэлектрические свойства структуры In2O3--InSe. Установлено, что в результате окисления слоистого полупроводника InSe может быть сформирована упорядоченная наноразмерная гетерограница, которая определяет высокую фоточувствительность гетероструктуры In2O3--InSe в спектральной области экситонного поглощения при комнатной температуре.

PACS: 61.46.Df, 78.68.+m

 PDF версия (348Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster