ФТТ, 2007, том 49, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии

И.П.Сошников\kern1pt*,**, Г.Э.Цырлин\kern1pt*,**,***, А.А.Тонких\kern1pt**,***, В.Н.Неведомский\kern1pt*,
Ю.Б.Самсоненко\kern1pt*,**,***, В.М.Устинов\kern1pt*,**

* Научно-образовательный комплекс \glqq Санкт-Петербургский физико-технический
научно-образовательный центр Российской академии наук\grqq,
195220 Санкт-Петербург, Россия
** Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
*** Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: ipsosh@beam.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 25 сентября 2006 г.
В окончательной редакции 15 ноября 2006 г.)

Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллитов.

Работа выполнена при поддержке РФФИ и программы РАН. Один из авторов (А.А.Т.) благодарит Минобрнауки РФ за поддержку проекта \glqq Полупроводниковые наноструктуры --- новые физические эффекты и приборы на их основе\grqq.

PACS: 68.70.+w, 61.14.Hg, 81.05.Ea, 81.07.-b, 81.15.Hi

 PDF версия (272Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster