| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Магнитоупругий механизм магнитоэлектрического взаимодействия
М.И.Куркин, В.В.Меньшенин, В.В.Николаев, Е.А.Туров, Н.Б.Бакулина
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620129 Екатеринбург, Россия
E-mail: bakulina@imp.uran.ru
(Поступила в Редакцию 7 ноября 2006 г.)
|
Теоретически анализируется магнитоупругий механизм магнитоэлектрического взаимодейстия . Для его описания используется разложение магнитной энергии по степеням компонент векторов (смещений узлов кристаллической решетки от положения равновесия), а не , которые определяют магнитострикционную часть магнитоупругой энергии . Еще одно различие между и проявляется в том, что описывает взаимодействие магнитных возбуждений с оптическими фононами, а --- только с акустическими. Установлено, что для магнитоэлектричества важны только электроактивные (взаимодействующие с электрическим полем) оптические фононы, обычно составляющие малую часть от полного числа оптических ветвей фононного спектра. Предложено описание , автоматически исключающее из рассмотрения все неэлектроактивные ветви оптических фононов. Это описание строится на основе понятия электрической подрешетки, в которую объединяются все химически одинаковые, равновалентные ионы. Рассмотрение проведено на примере соединения FeTeO. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект N 05-02-16087) и Президиума РАН. PACS: 75.80.+q, 75.50.Bb |
| PDF версия (109Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |