| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Численное моделирование температурной зависимости спектров фотолюминесценции квантовых точек InAs/GaAs
М.Б.Смирнов, В.Г.Талалаев, Б.В.Новиков, С.В.Сарангов, Г.Э.Цырлин, Н.Д.Захаров
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik,
06120 Halle/Saale, Germany
E-mail: smirnomb@rambler.ru
(Поступила в Редакцию 18 октября 2006 г.)
|
Разработана математическая модель, описывающая температурную зависимость спектров фотолюминесценции самоупорядоченных массивов квантовых точек и учитывающая электрон-фононное взаимодействие и различные процессы переноса в системе квантовые точки--смачивающий слой--барьер. Применение модели к анализу экспериментальных спектров квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных подложках GaAs, позволило выделить проявления в спектрах фотолюминесценции различных механизмов переноса возбуждения и связать наблюдаемые температурные зависимости спектров с особенностями строения массива квантовых точек. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 05-02-17780). PACS: 78.67.Hc, 73.20.Mf |
| PDF версия (209Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |